美国新任总统拜登上台以后，制定了与特朗普时代不同的封堵中国半导体的策略---就是联合欧洲日韩盟友一起封堵中国，同时，美国依然不断将中国有核心技术的公司纳入实体名单进行打击，所以，对于中国半导体业者来说，必须要加快实现自主可控全产业链的步伐。 这一点，连全球光刻机龙头ASML也看到了，近日，ASML CEO彼得·温宁克（Peter Wennink）在一次线上研讨会上表示对中国技术出口管制不仅不能阻止中国的技术进步，反而会最终损害美国经济。 这一点，连全球光刻机龙头ASML也看到了，近日，ASML CEO彼得·温宁克（Peter Wennink）在一次线上研讨会上表示对中国技术出口管制不仅不能阻止中国的技术进步，反而会最终损害美国经济。 这一点，连全球光刻机龙头ASML也看到了，近日，ASML CEO彼得·温宁克（Peter Wennink）在一次线上研讨会上表示对中国技术出口管制不仅不能阻止中国的技术进步，反而会最终损害美国经济。 在本周台湾地区的一个论坛上，有全球代工之父的张忠谋也指出目前大陆制造与台湾差距5年以上芯片设计差距1到2年，他的讲话被网友评论说：“看来我们与全球领先制造的水平还不是那么大，这我就放心了！” 是的，在2020年中国政府出台《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》以后，中国在28nm工艺制造方面的研发在加速，很多公司都投入到解决28nm自主产业链的研发队伍中来了，在全民造芯的推动下，本土半导体制造突破是早晚的事情，正如ASML CEO所说，中国已定义会打造出资金的设备产业链，去年我写过一篇《两年之内，中国将实现28nm芯片自主制造！》的文章，现在看来，这个速度还有可能加快，今年有望实现28nm公司制造国产化，我们可以从设备端和材料端来看看。 梳理28nm本土产业链 中国半导体行业协会专家李珂去年年底在一次访谈中指出目前国内拥有28nm及以下晶圆厂的企业包括中芯国际、上海华力微、合肥长鑫等，目前国产设备可进入28nm及以下晶圆制造产线的厂商包括华海清科、沈阳拓荆、盛美半导体、北方华创、中微公司、沈阳芯源、屹唐半导体、中科信、睿励和广立微等。 其中，北方华创在2018年实现了国产首台销售的ALD（原子层沉积设备），可实现28nm-14nm的FinFET等工艺要求；上海微电子宣布最快将在2021-2022年交付第一台国产28nm工艺的国产沉浸式光刻机；烁科中科信研发的中束流离子注入机达到了国外同类型设备水平，产品已经批量进入市场，大束流离子注入机工艺覆盖至28nm。 通盘来看国内已经基本具备了28nm技术节点完全国产芯片的量产能力，有些企业研发已经取得了成就，甚至有些企业的产品在国内的生产线上已经得到了应用。在某些细分领域，国内已经 实现突破 。如中微半导体在介质刻蚀领域已达到全球先进水平，中微的蚀刻机也被台积电所采用。 在28nm国产化产业链的关键节点——光刻机领域，目前已获得国家的重大专项和企业的集中攻关。中科院院长白春礼表示，将集中力量、集中优势聚焦国家最关注的重大科技技术，其中就包括光刻机，这意味着国家队将出手帮助国内芯片行业解决芯片制造难题。另外，有消息说上海微电子公司及那今年也可以交付通过沉浸式光刻实现28nm的光刻机，将打破国外封锁，填补国内市场的空白，加速芯片国产化。 （以上来自李珂的访谈） 2月20日，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司建设的集成电路供应链及先导技术产业创新中心项目进行环评公示，该项目总投资 51.37 亿元，建筑面积约25382.1 m2。项目将建设集成电路国产验证中试线，为多个工艺验证及技术创新研发平台提供场地及设施，产能为每月约3000片12英寸晶圆。据了解，该项目用于先进图像传感器、65nm-28nm 及以下逻辑技术研发线的建设，达到或接近国际同类产品的技术指标，主体生产工艺以65nm~28nm及以下制程为主。

在28nm国产化产业链的关键节点——光刻机领域，目前已获得国家的重大专项和企业的集中攻关。中科院院长白春礼表示，将集中力量、集中优势聚焦国家最关注的重大科技技术，其中就包括光刻机，这意味着国家队将出手帮助国内芯片行业解决芯片制造难题。另外，有消息说上海微电子公司及那今年也可以交付通过沉浸式光刻实现28nm的光刻机，将打破国外封锁，填补国内市场的空白，加速芯片国产化。 （以上来自李珂的访谈） 2月20日，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司建设的集成电路供应链及先导技术产业创新中心项目进行环评公示，该项目总投资 51.37 亿元，建筑面积约25382.1 m2。项目将建设集成电路国产验证中试线，为多个工艺验证及技术创新研发平台提供场地及设施，产能为每月约3000片12英寸晶圆。据了解，该项目用于先进图像传感器、65nm-28nm 及以下逻辑技术研发线的建设，达到或接近国际同类产品的技术指标，主体生产工艺以65nm~28nm及以下制程为主。

在28nm国产化产业链的关键节点——光刻机领域，目前已获得国家的重大专项和企业的集中攻关。中科院院长白春礼表示，将集中力量、集中优势聚焦国家最关注的重大科技技术，其中就包括光刻机，这意味着国家队将出手帮助国内芯片行业解决芯片制造难题。另外，有消息说上海微电子公司及那今年也可以交付通过沉浸式光刻实现28nm的光刻机，将打破国外封锁，填补国内市场的空白，加速芯片国产化。 （以上来自李珂的访谈） 2月20日，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司建设的集成电路供应链及先导技术产业创新中心项目进行环评公示，该项目总投资 51.37 亿元，建筑面积约25382.1 m2。项目将建设集成电路国产验证中试线，为多个工艺验证及技术创新研发平台提供场地及设施，产能为每月约3000片12英寸晶圆。据了解，该项目用于先进图像传感器、65nm-28nm 及以下逻辑技术研发线的建设，达到或接近国际同类产品的技术指标，主体生产工艺以65nm~28nm及以下制程为主。

在28nm国产化产业链的关键节点——光刻机领域，目前已获得国家的重大专项和企业的集中攻关。中科院院长白春礼表示，将集中力量、集中优势聚焦国家最关注的重大科技技术，其中就包括光刻机，这意味着国家队将出手帮助国内芯片行业解决芯片制造难题。另外，有消息说上海微电子公司及那今年也可以交付通过沉浸式光刻实现28nm的光刻机，将打破国外封锁，填补国内市场的空白，加速芯片国产化。 （以上来自李珂的访谈） 2月20日，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司建设的集成电路供应链及先导技术产业创新中心项目进行环评公示，该项目总投资 51.37 亿元，建筑面积约25382.1 m2。项目将建设集成电路国产验证中试线，为多个工艺验证及技术创新研发平台提供场地及设施，产能为每月约3000片12英寸晶圆。据了解，该项目用于先进图像传感器、65nm-28nm 及以下逻辑技术研发线的建设，达到或接近国际同类产品的技术指标，主体生产工艺以65nm~28nm及以下制程为主。