近日中芯国际董事长周子学在互动交流时表示，目前中芯国际正在研发的项目和正在生产的产品，暂时还不需要EUV光刻机。目前，该公司最先进的产品是14纳米级别的FinFET（鳍式场效应晶体管）芯片，12纳米级的第一代FinFET芯片已经进入了客户导入阶段。目前，中芯国际已经开始了第二代FinFET芯片已经开始了研发。在交流中，周子学也坦诚目前国内的集成电路与国际相比仍有差距，以12纳米芯片为例，相较于国际最先进的5纳米产品，性能上整整差了2.4倍。也因为国产光刻机仍旧落后，使得我们诸多设备都受了十分巨大的影响。 导弹、雷达到卫星的集成电路元器件，民用手机和电脑的晶体管等，如果要提高性能的话，就必须使用更为先进的芯片。芯片体积越小，意味着性能更强。以华为的麒麟980芯片和麒麟970芯片为例，麒麟980采用的是7纳米芯片，麒麟970则是10纳米的芯片。两种不同规格的芯片带来的性能也不一样。7纳米的麒麟980有69亿个晶体管，10纳米的麒麟970则只有55亿个。在这样的差距下，7纳米的麒麟980被用在了华为Mate 20手机，10纳米的麒麟970则是在华为Mate 10手机上。毫无疑问，华为Mate20的性能，要比华为Mate10更强。 所以，目前中国光刻机领域的落后，还是过去基础薄弱所致。现在环境好了，形势好了，经济条件好了，研发工作也加快了。据悉，目前国内在研光刻机成果已经收效明显，在中科院的牵头带领下，已经绕过世界最大光刻机企业ASML取得了不少专利，而这些专利的直接结果就是能够制造7纳米芯片，但是量产还需要等待能够匹配这一级别芯片的光刻机。而2纳米芯片的技术也已经取得了突破性进展，但是也同样缺乏匹配的光刻机。如果说中国光刻机什么时候能够达到世界先进水平，那就完全取决于国内的院所在绕过ASML及其背后的西方国家的封锁后，还能够取得什么样的进展。