据报道，三星电子第五代HBM3E存储芯片的8层版本已经通过英伟达的测试。
三星电子和英伟达尚未就8层HBM3E存储芯片签署供应协议，但很快就会签署；预计第四季度开始供应。
12层版本的HBM3E存储芯片尚未通过英伟达的测试。
文章来源：新浪科技
文章作者：刘明亮
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三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试
发布人：金准数据
